◆研究内容
我々の研究室では薄膜結晶成長及び界面制御技術を駆使し、現代情報化社会を革新し得る
ような優れた特性を持つ新薄膜材料、特に人間の脳機能を模倣・再現し、高効率情報処理が
行える様な新材料の開発を目指しています。
近年は主として、無機炭素材料であるダイヤモンドとグラフェンを積層複合化する事に
より、新機能材料を創出する試みを行っています。
特にグラフェン／ダイヤモンド接合の特異な光伝導特性を生かした画像検出・認識デバイスと、
ダイヤモンド半導体の優れた特性を生かしたパワーデバイスの開発を行っています。
近年の研究トピックス
〇 カーボン半導体エレクトロニクス
・ダイヤモンド／グラフェン接合を用いた新規AIデバイス開発
（脳機能を模倣した革新的光センシングデバイス開発、
高効率画像認識、時系列データ予測デバイス開発）
（情報工学と電子工学分野の学際的研究）
・ダイヤモンド半導体を用いた高性能パワーデバイス開発
（既存の材料を遥かに上回る大電力動作デバイス開発）
（電子・材料工学分野の研究）
我々の研究室では薄膜結晶成長及び界面制御技術を駆使し、現代情報化社会を革新し得る
ような優れた特性を持つ新薄膜材料、特に人間の脳機能を模倣・再現し、高効率情報処理が
行える様な新材料の開発を目指しています。
近年は主として、無機炭素材料であるダイヤモンドとグラフェンを積層複合化する事に
より、新機能材料を創出する試みを行っています。
特にグラフェン／ダイヤモンド接合の特異な光伝導特性を生かした画像検出・認識デバイスと、
ダイヤモンド半導体の優れた特性を生かしたパワーデバイスの開発を行っています。
近年の研究トピックス
〇 カーボン半導体エレクトロニクス
・ダイヤモンド／グラフェン接合を用いた新規AIデバイス開発
（脳機能を模倣した革新的光センシングデバイス開発、
高効率画像認識、時系列データ予測デバイス開発）
（情報工学と電子工学分野の学際的研究）
・ダイヤモンド半導体を用いた高性能パワーデバイス開発
（既存の材料を遥かに上回る大電力動作デバイス開発）
（電子・材料工学分野の研究）
植田研究室
〒808-0135
福岡県北九州市若松区ひびきの2-7
TEL: 093-692-5176
E-mail:k-ueda[AT]waseda.jp
([AT]から@に変更下さい)