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早稲田大学大学院情報生産システム研究科
知能半導体工学研究室 (植田研)
〒808-0135 福岡県北九州市若松区ひびきの2-7
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新着情報
新着情報
2026 3
/25
グラフェン/ダイヤモンド光メモリスタを用いた高精度画像認識
に関する
論文
がJpn. J. Appl. Phys.(I. F. =1.8)で刊行されました。
春の学会で計2件の発表を行いました。
2026 3
/18
フィールドプレートダイヤモンドマルチフィンガーFETのパワー特性に関する
論文
が
Appl. Phys. Express(I. F. =2.2)で刊行されました。
2026 1
/23
ダイヤモンドマルチフィンガーFETに関する
論文
がJpn. J. Appl. Phys.
(I. F. =1.8)で刊行されました。
ダイヤモンドパワーデバイスに関するセミナー(1/21)を行いました。
2025 10/15
9月入学学生が配属されました。
秋の学会で計7件の発表を行いました。
2025 8
/27
電子デバイス産業新聞(
第2662号、25.8.7
)に記事が掲載されました。
(早稲田大学大学院情報生産システム研究科 教授 植田研二氏に聞く
ダイヤパワーデバイスを開発 高周波、高温にも強い特性)
2025 6
/25
プラズマアニール法を用いたグラフェンの成長に関する
論文
がJ. Appl. Phys.
(I. F. =2.5)で刊行されました。
2025 6
/23
国際(
NDNC2025
)及び国内学会(顕微鏡学会)で計4件の発表を行いました。
2025 4
/17
4月入学学生の加入に伴い、メンバー表の更新を行いました。
2024 11
/14
国内及び国際学会で計3件の発表を行いました。
2024 10
/17
9月入学学生が配属されました。
2024 9
/4
グラフェン/ダイヤモンドAIデバイスに関する
論文
が J. Matel. Res. (I. F.= 2.7)
のInvited Feature Paperとして刊行されました。
2024 8
/2
ステンレス上のグラフェン成長に関する
論文
が J. Appl. Phys. (I. F.= 2.7)
で刊行されました。
2024 7
/25
NEDO先導研究
に我々のグループが提案したダイヤモンド縦型パワーデバイス
に関するプロジェクトが採択されました。
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