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 早稲田大学大学院情報生産システム研究科



  〒808-0135 福岡県北九州市若松区ひびきの2-7



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新着情報新着情報


2026 3/25
  グラフェン/ダイヤモンド光メモリスタを用いた高精度画像認識
  に関する論文がJpn. J. Appl. Phys.(I. F. =1.8)で刊行されました。
          春の学会で計2件の発表を行いました。

2026 3/18
  フィールドプレートダイヤモンドマルチフィンガーFETのパワー特性に関する論文
  Appl. Phys. Express(I. F. =2.2)で刊行されました。

2026 1/23
  ダイヤモンドマルチフィンガーFETに関する論文がJpn. J. Appl. Phys.
  (I. F. =1.8)で刊行されました。
  ダイヤモンドパワーデバイスに関するセミナー(1/21)を行いました。

2025 10/15
  9月入学学生が配属されました。  
  秋の学会で計7件の発表を行いました。

2025 8/27
  電子デバイス産業新聞(第2662号、25.8.7)に記事が掲載されました。
  (早稲田大学大学院情報生産システム研究科 教授 植田研二氏に聞く
   ダイヤパワーデバイスを開発 高周波、高温にも強い特性)

2025 6/25
  プラズマアニール法を用いたグラフェンの成長に関する論文がJ. Appl. Phys.
  (I. F. =2.5)で刊行されました。

2025 6/23
  国際(NDNC2025)及び国内学会(顕微鏡学会)で計4件の発表を行いました。

2025 4/17
  4月入学学生の加入に伴い、メンバー表の更新を行いました。

2024 11/14
  国内及び国際学会で計3件の発表を行いました。

2024 10/17
  9月入学学生が配属されました。

2024 9/4
  グラフェン/ダイヤモンドAIデバイスに関する論文が J. Matel. Res. (I. F.= 2.7)
  のInvited Feature Paperとして刊行されました。

2024 8
/2
  
  ステンレス上のグラフェン成長に関する論文が J. Appl. Phys. (I. F.= 2.7)
 
  で刊行されました。


2024 7/25
  NEDO先導研究に我々のグループが提案したダイヤモンド縦型パワーデバイス
  に関するプロジェクトが採択されました。




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