Publications
（2025）
（Papers）
1. Low-temperature synthesis of high-quality graphene by methane plasma annealing of graphene oxide
S. Jia and K. Ueda
J. Appl. Phys. 137, 245301 (2025), (DOI; https://doi.org/10.1063/5.0273988)
（Conferences）
（International conferences）
1. High-precision recognition of hand-written digits by graphene/diamond heterojunctions.
H. Iwane, G. Saito, S. Muto, and K. Ueda
New diamond and new carbons 2025 (NDNC2025), Beppu, Oita, Japan, 12-15 May (15 May) (I-10-6).
2. Interfacial structure/chemical state analysis of graphene/diamond heterojunctions using scanning/transmission electron microscopy and electron energy-loss spectroscopy.
G. Saito, H. Iwane, K. Ueda and S. Muto,
New diamond and new carbons 2025 (NDNC2025), Beppu, Oita, Japan, 12-15 May (12-13 May) (C17 (Poster)).
3. Interfacial structures of graphene/diamond heterostructures investigated by 5D scanning transmission electron microscopy incorporating electron energy loss spectroscopy
G. Saito, S. Muto, H. Iwane, S. Ito, K. Ueda
35th International conference on diamond and carbon materials (ICDCM2025), Glasgow, UK, 8/31-9/4 (9/2, 08A.04)
4. Sub-nanometric analysis of spatial and electronic structures in diamond/graphene heterojunctions via a suite of scanning transmission electron microscopy and spectroscopy
S. Muto, G. Saito, H. Iwane, S. Ito, K. Ueda
35th International conference on diamond and carbon materials (ICDCM2025), Glasgow, UK, 8/31-9/4 (9/2 (P) P10.35)
5. First Demonstration of Multi-finger 2DHG Diamond MOSFETs with Source Via Structure
Kosuke Ota, Yukihiro Chou, Kento Narita, Yutaro Hashimoto, Yuki Takano, Atsushi Hiraiwa, Momoko Deura, Kenji Ueda, Hiroshi Kawarada
2025 International conference on solid state devices and materials (SSDM2025), Yokohama, Japan, 15-18 Sep. (9/18, M-5-02)
（Domestic conferences）
1. グラフェン/ダイヤモンド接合界面の4D-STEM解析
齊藤元貴, 岩根東輝, 植田研二, 武藤俊介
日本顕微鏡学会第81回学術講演会、6/9-6/11 (6/11)、福岡国際会議場（3E_AM-1_16）
2. 走査/透過電子顕微鏡を用いたグラフェン/ダイヤモンド接合界面の構造解析
齊藤元貴, 岩根東輝, 植田研二, 武藤俊介
日本顕微鏡学会第81回学術講演会、6/9-6/11 (6/10)、福岡国際会議場 (P) （P2-60）
3. ダイヤモンド／グラフェン接合を用いた新規ニューロモルフィックデバイス開発
植田研二
センサ＆IoTコンソーシアム、オンラインセミナー2025、マテリアルを基盤とするニューロモルフィックAI、9/22（招待講演）
4. 窒素ドープ層を用いた縦型2DHGダイヤモンドMOSFETの高耐圧化
吉田 稜, 大井 信敬, 渡邉 晃彦, 大村 一郎, 植田 研二, 川原田 洋, 藤嶌 辰也
第86回応用物理学会秋期学術講演会、名城大学、9/7-9/10（9/8、8p-N321-18）
5. 縦型ダイヤモンドMOSFETを志向したトレンチ型側壁コンタクト構造
庄司 駿輔, 太田 康介, 大井 信敬, 渡邉 晃彦, 大村 一郎, 植田 研二, 川原田 洋, 藤嶌 辰也
第86回応用物理学会秋期学術講演会、名城大学、9/7-9/10（9/9、(p) 9a-P01-17）
6. メモリスタ機能を持つダイヤモンド/グラフェンヘテロ接合界面のSTEM分析
武藤 俊介、斎藤 元貴、植田 研二
日本金属学会、2025秋期 第177回講演会、北海道大学、9/17-19、（9/18、S4.14）
（Others）
（Articles in newspapers）
1. 電子デバイス産業新聞、第2662号、2025年8月7日
早稲田大学大学院情報生産システム研究科 教授 植田研二氏に聞く
ダイヤパワーデバイスを開発 高周波、高温にも強い特性
（https://www.sangyo-times.jp/scn/headindex.aspx?ID=8068）